Справочник По Импортным Mosfet Транзисторам 6,5/10 7244 votes

Трудовой договор шаблон образец. страница 1 Наименование: Наименование Производитель Канал Конфиг. Datasheet Корпус Макс.

  1. Справочник Полевые Транзисторы
  2. Справочник По Импортным Mosfet Транзисторам

Справочник Полевые Транзисторы

Сток-исток, (Vdss) V Макс. Затвор-исток, (Vgss) V Макс. Ток сток-исток при 25 С,(Id) A Макс. Мощность,(Pd) Wt Заряд затвора, (Qg) nC Макс. VGS = 1.2V (RDS), Ohm Макс. VGS = 1.5V (RDS), Ohm Макс.

На страницу выбора электронных книг и файлов закачек. Справочник по зарубежным транзисторам. Преимущества MOSFET транзисторов перед биполярными. К неоспоримым. Смотрите другие статьи раздела Справочник электрика. Строк: 51  Справочник по импортным mosfet. Справочник по импортным mosfet транзисторам. Характеристики транзисторов с сортировкой. Импортные аналоги. Справочник по mosfet.

Справочник По Импортным Mosfet Транзисторам

VGS = 1.8V (RDS), Ohm Макс. VGS = 2.5V (RDS), Ohm Макс. VGS = 4V (RDS), Ohm Макс. Нана песни.

Драйвер igbt транзистора. Выбирайте по доступным ценам драйверы MOSFET и IGBT оптом и в розницу. Осуществляем доставку в любой город РФ, а также доступен самовывоз.

Справочник По Импортным Mosfet Транзисторам

VGS = 4.5V (RDS), Ohm Макс. VGS = 5V (RDS), Ohm Макс. VGS = 6V (RDS), Ohm Макс.

Справочник по полевым транзисторам. Особенностью справочника является то, что импортные полевые транзисторы взяты из прайсов интернет-магазинов. Справочник предназначен для подбора полевых транзисторов по электрическим параметрам, для выбора замены (аналога) транзистору с известными характеристиками. За основу спраочника взяты отечественные транзисторы, расположенные в порядке возрастания напряжения и тока. Импортные MOSFET транзисторы в справочник взяты из прайс-листов магазинов. Импортные и отечественные транзисторы, расположенные в одной колонке, имеют близкие параметры, хотя и не обязательно являются полными аналогами. MOSFET транзисторы обладают следующими достоинствами: малая энергия, которую нужно затратить для открывания транзистора.

Этот параметр хоть и растет с увеличением частоты, но все равно остается гораздо меньшей, чем у биполярных транзисторов. У MOSFET транзисторов не времени обратного восстановления, как у биполярных и 'хвоста', как у IGBT транзисторов, в связи с чем могут работать в силовых схемах на более высоких частотах.

Кроме того, у MOSFET нет вторичного пробоя, и поэтому они более стойки к выбросам самоиндукции. Корпус PDF Тип Imax, A Импортн. Корпус Ограничения по длительному току, накладываемые корпусом: ТО220 не более 75А, ТО247 не более 195А. В реальных условиях отвода тепла эти цифры в несколько раз меньше.

This entry was posted on 20.07.2019.